多腔室半导体处理装置

主权项

一种多腔室半导体处理装置，包括：至少两个用于容纳和处理半导体晶圆的微腔室以及至少一立柱，每个该微腔室包括形成一上工作表面的一上腔室部和形成一下工作表面的一下腔室部，该上腔室部和该下腔室部在用于装载或移除该半导体晶圆的一打开位置和用于容纳和处理该半导体晶圆的一关闭位置之间相对移动，在该关闭位置时，该半导体晶圆安置于该上工作表面和该下工作表面之间，且与该微腔室的内壁形成有供一处理流体流动的空隙，该微腔室包括至少一个供该处理流体进入该微腔室的入口和至少一个供处理流体排出该微腔室的出口，该立柱贯穿每个该微腔室的该上腔室部和该下腔室部，该上腔室部和该下腔室部沿该立柱在该打开位置和该关闭位置相对移动。