| 主权项 |
一种记忆体，包括：多个记忆存储单元，至少有一记忆存储单元包括：一记忆元件有第一端和第二端，该第一端被耦合到第一电源电压线；及一第一二极体包括至少一第一端和一第二端，其中该第一端具有一第一类型掺杂，该第二端有一第二类型掺杂，该第一二极体的该第一端耦合到该记忆元件的该第二端，一第二二极体包括至少一第一端和一第二端，其中该第一端具有一第一类型掺杂，该第二端具有一第二个类型掺杂，该第二二极体的该第二端被耦合到该记忆元件的该第二端，其中该第一二极体的该第二端被耦合到第二电源电压线，其中该第二二极体的该第一端被耦合到第二或第三电源电压线，其中该第一或第二二极体的该第一端或该第二端的掺杂是从互补式金属氧化物半导体(CMOS)元件的源极或汲极的掺杂植入制造，其中，至少有一二极体是构建在多晶矽基体上，其中，经由施加电压到该第一，第二和/或第三电源电压线，从而导通该第一二极体而切断了该第二二极体到一逻辑状态，或导通该第二二极体而切断了该第一二极体到另一逻辑状态，该记忆元件被配置为可编程到不同的逻辑状态。 |
