形成沟槽下方ＰＮ钳夹区域的结构与方法

主权项

一种包括整流器的结构，该结构包括：一第一导电型的半导体区域；延伸进入该半导体区域的沟槽；内衬各个沟槽之相对侧壁但沿着各个沟槽之底部系不连续的一介电层；沿着该各个沟槽之底部延伸并与该半导体区域形成一PN接点的一第二导电型的矽区域，其中该第二导电型与该第一导电型相反；内衬该各个沟槽底部并且内衬该介电层之至少一部份的一掺杂衬垫，该掺杂衬垫在该各个沟槽底部与该矽区域直接接触；填充各个沟槽的一填充材料；及延伸于该半导体区域上方及与该掺杂衬垫直接接触的一互连层，其中该互连层接触相邻沟槽之间之半导体区域的台面表面以形成介于其间的萧特基(Schottky)接触。