用于整合射频／类比系统单晶片应用之奈米管装置与互补金属氧化物半导体之方法

主权项

一种用于制造一系统单晶片(System-on-Chip；SoC)的方法，其包含：将奈米管(nanotubes)装置之形成整合入一互补金属氧化物半导体(CMOS)处理流程(process flow)中，以在一基板之一奈米管区域中形成奈米管装置及在相同基板之一CMOS区域中形成CMOS装置，其涉及：(i)在制造该等奈米管装置的同时，保护该CMOS区域免受某些奈米管制造过程(processes)之影响；及(ii)在制造该等CMOS装置的同时，保护该奈米管区域免受某些CMOS制造过程之影响。