| 发明名称 | 薄膜晶体管的制造方法及制造薄膜晶体管的设备 | ||
| 摘要 | 薄膜晶体管的制造方法及制造薄膜晶体管的设备，该制造方法包括以下步骤。在基板上依序形成栅极以及绝缘层。在绝缘层上形成源极以及漏极。在栅极上方的绝缘层上涂布金属氧化物前趋物溶液。通入气体，其中气体不与金属氧化物前趋物溶液反应。对金属氧化物前趋物溶液进行照光程序，以使得金属氧化物前趋物溶液进行光交联反应而形成金属氧化物半导体材料。 | ||
| 申请公布号 | CN104485283A | 申请公布日期 | 2015.04.01 |
| 申请号 | CN201410787296.6 | 申请日期 | 2014.12.17 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 林亮宇;郑君丞 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 梁挥;鲍俊萍 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：在一基板上依序形成一栅极以及一绝缘层；在该绝缘层上形成一源极以及一漏极；在该栅极上方的该绝缘层上涂布一金属氧化物前趋物溶液；通入一气体，其中该气体不与该金属氧化物前趋物溶液反应；以及对该金属氧化物前趋物溶液进行一照光程序，以使得该金属氧化物前趋物溶液进行光交联反应而形成一金属氧化物半导体材料。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行二路1号 | ||