| 发明名称 | 碳化硅单晶及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种碳化硅单晶(3)，包括作为掺杂剂的氮和作为掺杂剂的铝。氮浓度为2×10<sup>19</sup>cm<sup>-3</sup>或更高，并且铝浓度与所述氮浓度的比率在5％至40％的范围内。 | ||
| 申请公布号 | CN102400224B | 申请公布日期 | 2015.04.01 |
| 申请号 | CN201110220363.2 | 申请日期 | 2011.07.29 |
| 申请人 | 株式会社电装;丰田自动车株式会社 | 发明人 | 广濑富佐雄;小岛淳;儿岛一聪;加藤智久;安达步;西川恒一 |
| 分类号 | C30B29/36(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I;C30B33/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈松涛;王英 |
| 主权项 | 一种碳化硅单晶(3)，包括：作为掺杂剂的氮；以及作为掺杂剂的铝，其中，氮浓度为2×10<sup>19</sup>cm<sup>‑3</sup>或更高，其中，铝浓度与所述氮浓度的比率在5％至40％的范围内，其中，在所述碳化硅单晶的生长期间，所述氮和所述铝被同时掺杂到所述碳化硅单晶，以使得所述碳化硅单晶(3)的堆垛层错被降低，并且其中，所述碳化硅单晶(3)的电阻率等于或低于10mΩ·cm。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||