| 发明名称 | 一种铜互连结构的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种铜互连结构的制作方法，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上沉积覆盖层；在所述覆盖层上沉积电介质层；在所述电介质层上形成硬掩膜层；进行沟槽和/或接触孔的刻蚀；去除所述硬掩膜层；在所述电介质层上以及沟槽和/或接触孔内壁上沉积阻障层和种晶层；在所述阻障层和种晶层上化学电镀铜金属层；将铝离子注入到所述铜金属层中；进行铜金属层的化学机械研磨。最后，在所述铜金属层上沉积一顶覆盖层。 | ||
| 申请公布号 | CN103094184B | 申请公布日期 | 2015.04.01 |
| 申请号 | CN201110336844.X | 申请日期 | 2011.10.31 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 鲍宇 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种铜互连结构的制作方法，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上沉积电介质层；进行沟槽和/或接触孔的刻蚀；在所述电介质层上以及沟槽和/或接触孔内壁上沉积阻障层和种晶层；在所述阻障层和种晶层上化学电镀铜金属层；将铝离子注入到所述铜金属层中，以形成铝铜合金层；进行退火处理，以使所述铜金属层中的氧原子被选择性吸收到所述铝铜合金层中；进行铜金属层的化学机械研磨，同时去除所述铝铜合金层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||