| 发明名称 | 多层互连结构及用于集成电路的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种多层互连结构及用于集成电路的方法，通过设置其上具有第一电介质(50、27)的衬底(40)以形成一种多层互连结构，以支持具有下导电件M<sub>N</sub>(22、23)、上导电件M<sub>N+1</sub>(34、35)、电介质中介层(DIL)(68)及互连通孔导电件V<sub>N+1/N</sub>(36、36’)的多层互连(39)。该下导电件M<sub>N</sub>(22、23)具有第一上表面(61)，该第一上表面(61)位于该第一电介质(50、27)的第二上表面(56)下方的凹部中。该DIL(68)是形成在该第一(61)及第二(56)表面上方。从该上导电件M<sub>N+1</sub>(34)的希望位置(122)蚀刻孔洞(1263)穿过该DIL(68)，以暴露该第一表面(61)。该孔洞(1263)是以另外电性导电件(80)填充，以形成与该第一上表面(61)作出电性接触的该上导电件M<sub>N+1</sub>(34)及该连接通孔导电件V<sub>N+1/N</sub>(36、36’)。下导电件M<sub>N</sub>(22、23)的其它者(23)与该通孔导电件V<sub>N+1/N</sub>(36、36’)之间的关键尺寸(32、37)是加长的。漏电流及其之间的电子迁移是减少的。 | ||
| 申请公布号 | CN102760695B | 申请公布日期 | 2015.04.01 |
| 申请号 | CN201210134846.5 | 申请日期 | 2012.04.28 |
| 申请人 | 格罗方德半导体公司 | 发明人 | R-H·金 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L23/538(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种用来形成具有多层互连结构的集成电路的方法，包括：供应其上具有第N个电介质的衬底，希望在该第N个电介质中或上形成多层互连，该多层互连具有下导电件M<sub>N</sub>、上导电件M<sub>N+1</sub>及互连通孔V<sub>N+1/N</sub>；在该衬底上形成该下导电件M<sub>N</sub>，该下导电件M<sub>N</sub>的上表面凹陷低于该第N个电介质的上表面；在该第N个电介质及该下导电件M<sub>N</sub>的该上表面上方，设置第N+1个电介质；从该上导电件M<sub>N+1</sub>的希望位置，蚀刻穿过该第N+1个电介质的第N+1个孔洞，并暴露该下导电件M<sub>N</sub>的该上表面；以电性导电件填充该第N+1个孔洞，该电性导电件适配以形成该上导电件M<sub>N+1</sub>及该互连通孔V<sub>N+1/N</sub>，并与该下导电件M<sub>N</sub>的该上表面作电性接触；以及决定具有N＝Q总共互连阶层的希望多层互连堆叠是否完成，并且，如果不是：选择性地移除该第N+1个孔洞中的导电件材料至低于该第N+1个电介质的上表面下方的该上导电件M<sub>N+1</sub>的上表面；以及接着将N递增1，并且重复设置、蚀刻、填充、询问、及移除任何或所有希望连续互连阶层N，直到N＝Q‑1为止。 | ||
| 地址 | 英属开曼群岛大开曼岛 | ||