非挥发性半导体记忆装置及其制造方法

摘要

本发明根据一实施形态，提供一种非挥发性半导体记忆装置。复数个元件分离绝缘体于上述半导体基板之表面区域，形成沿着上述半导体基板之表面延伸之划分为复数个之主动区域。隧道绝缘膜设于上述主动区域上。浮动闸极电极设于上述隧道绝缘膜上。闸极间绝缘膜设于上述浮动闸极电极上。控制闸极电极设于上述闸极间绝缘膜上。源极区域及汲极区域于上述复数个主动区域之各者上以相互隔开之方式形成。上述主动区域分别于侧面具有阶差，较上述阶差深之部分之宽度相较于较上述阶差浅之部分之宽度更大。