具有去耦电容之非对称密集浮动闸非挥发性记忆体;ASYMMETRIC DENSE FLOATING GATE NONVOLATILE MEMORY WITH DECOUPLED CAPACITOR

摘要

本发明揭示一种非挥发性记忆体(「NVM」)位元晶胞，其包含一电容器、一非对称掺杂电晶体及一穿隧装置。该电容器、电晶体及穿隧装置各者电耦合至不同作用区域及金属接触件。藉由横越该三个作用区域之一浮动闸耦合该三个装置。该穿隧装置形成于一原生区域中以容许用以引发穿隧之电压之动态范围更大。该福勒-诺得海姆(FN)穿隧装置用以抹除该装置，从而容许更快页抹除，且因此容许快速测试及验证功能。该非对称电晶体结合该电容器用以程式化并读取该浮动闸之逻辑状态。该电容器及浮动闸系电容式耦合在一起，从而消除执行读取及写入操作对一单独选择装置的需要。