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发明名称
处理基板的方法与形成三维装置的方法;A METHOD OF TREATING A SUBSTRATE AND A METHOD OF FORMING A THREE DIMENSIONAL DEVICE
摘要
一种处理基板的方法,包括在包含反应性物质的反应性环境的存在下,将离子沿着与基板表面之垂直线形成的至少一个非零角度导向基板,基板包括表面特征。使用离子结合反应性环境,以第一蚀刻速率来蚀刻表面特征中的至少一个表面,此第一蚀刻速率大于在没有反应性环境的情况下将离子导向基板时的第二蚀刻速率,以及大于在提供反应性环境而没有提供离子给基板时的第三蚀刻速率。
申请公布号
TW201513218
申请公布日期
2015.04.01
申请号
TW103132882
申请日期
2014.09.24
申请人
瓦里安半导体设备公司 VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人
舍曼 丝特芬R SHERMAN, STEVEN R.;罗芙尔 赛门 RUFFELL, SIMON;哈塔拉 约翰 HAUTALA, JOHN;普兰德 亚当 BRAND, ADAM
分类号
H01L21/3065(2006.01);H01L21/336(2006.01)
主分类号
H01L21/3065(2006.01)
代理机构
代理人
叶璟宗郑婷文詹富闵
主权项
地址
美国 US
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