有机胺基矽烷前驱物及使用有机胺基矽烷前驱物的膜沉积方法;ORGANOAMINOSILANE PRECURSORS AND METHODS FOR DEPOSITING FILMS COMPRISING SAME

摘要

本文描述的是用于形成含矽膜的前驱物及方法。在一态样中，该前驱物包含由以下式A至E中的一者所示之化合物：在一特定具体实施例中，该等有机胺基矽烷前驱物能有效用于含矽膜之低温(例如，350℃或更低)、原子层沉积(ALD)或电浆强化原子层沉积(PEALD)。另外，本文描述的是一种包含本文所述之有机胺基矽烷的组合物，其中该有机胺基矽烷实质上不含选自胺类、卤化物(例如Cl、F、I、Br)、较高分子量物种及微量金属的至少一者。;In one particular embodiment, the organoaminosilane precursors are effective for a low temperature (e.g., 350℃