并有具有串选择闸之记忆体单元串之记忆体装置，及其形成方法

主权项

一种记忆体装置，其包含：浮动闸极记忆体单元之一第一行，其垂直地形成于一半导体上；浮动闸极记忆体单元之一第二行，其垂直地形成于该半导体上且邻近于浮动闸极记忆体单元之第一堆叠；及一串选择闸；其中该串选择闸系一单一导电结构；且其中该串选择闸经组态以选择性地使该第一行之形成为最远离该半导体之一记忆体单元耦接至一资料线，且同时选择性地使该第二行之形成为最远离该半导体之一记忆体单元耦接至一源极线。