| 发明名称 | 具有高介电常数的离子改性二氧化钛陶瓷材料及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种高介电常数和低介电损耗的离子改性二氧化钛陶瓷材料及其制备方法，属于环境友好型介电陶瓷领域。本发明所述陶瓷材料用通式表示为(A<sub>0.5</sub>Nb<sub>0.5</sub>)<sub>x</sub>Ti<sub>1-x</sub>O<sub>2</sub>，其中A为Bi，Al，Ga，Y，Sc，Yb，Dy，Sm，Gd和Pr，0.005≤x≤0.150摩尔含量；该陶瓷材料采用传统固相烧结法制备工艺，在通式配料中加入不同的三价A元素及相同五价Nb元素；所得陶瓷材料其介电常数高达10<sup>6</sup>，介电损耗低至6％。本发明制备的陶瓷在如今电子元件小型化、轻量化的时代具有较大实用价值。尤其是该陶瓷制备的器件在电容器及动态存储器等各种电子器件中具有实际的应用价值。 | ||
| 申请公布号 | CN104478431A | 申请公布日期 | 2015.04.01 |
| 申请号 | CN201410705357.X | 申请日期 | 2014.11.26 |
| 申请人 | 四川大学 | 发明人 | 吴家刚;程晓静;李振伟;肖定全;朱建国 |
| 分类号 | C04B35/462(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/462(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都科海专利事务有限责任公司 51202 | 代理人 | 刘双兰 |
| 主权项 | 一种具有高介电常数的离子改性二氧化钛陶瓷材料，其特征在于它由通式(A<sub>0.5</sub>Nb<sub>0.5</sub>)<sub>x</sub>Ti<sub>1‑x</sub>O<sub>2</sub>表示，式中A为Bi，Al，Ga，Y，Sc，Yb，Dy，Sm，Gd和Pr，x的取值范围为0.005～0.150摩尔含量。 | ||
| 地址 | 610065 四川省成都市武侯区一环路南一段24号 | ||