| 发明名称 | 非易失性存储器件及其编程方法 | ||
| 摘要 | 一种非易失性存储器件包括多个存储单元。每个存储单元被配置为实现多个状态之一，而每个状态代表不同的多位数据。在一个实施例中，所述编程方法包括同时地(1)将第一存储单元从第一选择状态编程为第二选择状态、以及(2)将第二存储单元从第三选择状态编程为精细第三选择状态。所述精细第三选择状态具有比第三选择状态更高的检验电压。 | ||
| 申请公布号 | CN101635172B | 申请公布日期 | 2015.04.01 |
| 申请号 | CN200910165172.3 | 申请日期 | 2009.07.23 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 白种南;黄相元 |
| 分类号 | G11C16/10(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I;G06F13/00(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邵亚丽 |
| 主权项 | 一种编程非易失性存储器件的方法，该非易失性存储器件包括多个存储单元，每个存储单元被配置为实现多个状态之一，每个状态代表不同的多位数据，该方法包括：第一同时编程：(1)将第一存储单元从第一选择状态编程为第二选择状态、以及(2)将第二存储单元从第三选择状态编程为精细第三选择状态，所述精细第三选择状态具有比第三选择状态更高的检验电压，所述方法进一步包括：将第一存储单元从第二选择状态编程为精细第二选择状态，所述精细第二选择状态具有比第二选择状态更高的检验电压。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||