| 发明名称 | 非易失性存储器件和系统及非易失性存储器件编程方法 | ||
| 摘要 | 一种对包括N比特多电平单元(MLC)存储单元的非易失性存储器编程的方法包括：对该MLC存储单元执行递增步长脉冲编程(ISPP)操作，其中该ISPP操作包括第一至第N页编程操作的编程序列，其中N是2或更大的整数。该编程序列还包括在第(N-1)页编程操作之后且在第N页编程操作之前执行的擦除编程，其中该擦除页编程增大该MLC存储单元当中的擦除单元的阈值电压分布。 | ||
| 申请公布号 | CN101996681B | 申请公布日期 | 2015.04.01 |
| 申请号 | CN201010260571.0 | 申请日期 | 2010.08.24 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 姜东求;金亨埈 |
| 分类号 | G11C16/02(2006.01)I;G11C16/14(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 钱大勇 |
| 主权项 | 一种对包括N比特多电平单元MLC存储单元的非易失性存储器编程的方法，所述方法包括：对该MLC存储单元执行递增步长脉冲编程ISPP操作，其中该ISPP操作包括第一至第N页编程操作的编程序列，其中N是2或更大的整数，其中该编程序列还包括在第(N‑1)页编程操作之后且在第N页编程操作之前执行的擦除编程，其中该擦除页编程增大该MLC存储单元当中的擦除单元的阈值电压分布。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||