发明名称 |
阵列基板及其制作方法、液晶显示面板和显示装置 |
摘要 |
本发明提供一种阵列基板及其制作方法、液晶显示面板和显示装置,属于液晶显示领域。其中,所述阵列基板的源电极和漏电极位于不同层。该阵列基板的制作方法中,通过两次构图工艺分别形成位于不同层的源电极和漏电极。本发明的技术方案能够尽可能地减小源电极和漏电极之间的沟道长度,进而极大的提高了TFT的开启电流I<sub>on</sub>。 |
申请公布号 |
CN103048840B |
申请公布日期 |
2015.04.01 |
申请号 |
CN201210450894.5 |
申请日期 |
2012.11.12 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
张春芳;金熙哲;魏燕;徐超 |
分类号 |
G02F1/1368(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1368(2006.01)I |
代理机构 |
北京银龙知识产权代理有限公司 11243 |
代理人 |
许静;黄灿 |
主权项 |
一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板的源电极和漏电极位于不同层;所述阵列基板的欧姆接触层与源电极位于同一层,所述阵列基板的漏电极位于所述欧姆接触层上;或所述阵列基板的欧姆接触层与漏电极位于同一层,所述阵列基板的源电极位于所述欧姆接触层上。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |