NMOS晶体管的制造方法

摘要

本发明涉及一种NMOS晶体管的制造方法，该种方法包括以下步骤，提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有包括栅介质层和伪栅极层的栅堆叠；在栅堆叠两侧的半导体衬底上掺杂N型离子，形成源极轻掺杂和漏极轻掺杂区；在栅堆叠侧壁形成侧墙，在源极区、漏极区选择性外延SiC层，从而对NMOS晶体管的沟道区施加拉应力；在栅堆叠两侧的半导体衬底上掺杂N型离子，形成源极重掺杂和漏极重掺杂区；移除所述伪栅极层。本发明的优点是选择性外延SiC层能够对NMOS晶体管的沟道区施加拉应力，并且移除伪栅极层后使得沟道内的拉应力进一步增强，载流子迁移率增大。

主权项

一种NMOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有包括栅介质层和伪栅极层的栅堆叠，所述伪栅极层包括至少两层不同材料；在栅堆叠两侧的半导体衬底中掺杂N型离子，形成源极轻掺杂区和漏极轻掺杂区；在栅堆叠侧壁上形成侧墙；在源极区、漏极区选择性外延SiC层；在栅堆叠两侧的半导体衬底中掺杂N型离子，形成源极重掺杂区和漏极重掺杂区；移除所述伪栅极层；所述伪栅极层包括单层的单晶硅或多晶硅和至少一层SiC，所述单层的单晶硅或多晶硅的厚度为5nm‑30nm,所述至少一层SiC的厚度为10nm‑90nm,所述至少一层SiC中C的含量为0.1％‑10％；所述伪栅极层包括多层SiC，且各层SiC中的C含量为相同值或呈梯度值。