高耐用度相变存储器装置及其操作方法

摘要

本发明公开了一种高耐用度相变存储器装置及其操作方法，该相变基础存储器装置及用于操作这类装置的方法克服了设定或复位失效模式且导致了增进的耐用度、可靠度及数据储存表现。高电流修复操作响应于相变存储器单元的设定或复位失效而进行。较高电流修复操作可提供足够的能量以反转在相变材料中可在重复的设定及复位操作后发生的组成改变。通过反转这些组成改变，本文所描述的技术可恢复经历过设定或复位失效的存储器单元，藉此延长存储器单元的耐用度。如此一来，将提供具有高循环耐用度的相变基础存储器装置及用于操作这类装置的方法。

主权项

一种用于操作一存储器单元的方法，该存储器单元包含相变材料及可编程为包含一较高电阻态及一较低电阻态的两个电阻态，该方法包括：施加一第一偏压设定到该存储器单元，以建立一目标电阻态，该第一偏压设定包含一第一脉冲，以引起通过该相变材料的一第一电流；测定该存储器单元在施加该第一偏压设定之后并未处于该目标电阻态；响应于该测定，施加一第二偏压设定到该存储器单元，该第二偏压设定包含一第二脉冲，以引起通过该相变材料的一第二电流，其中该第一脉冲及该第二脉冲具有跨过该相变材料的相同的电压极性，且该第二脉冲具有大于该第一脉冲的一电流强度；以及在施加该第二偏压设定之后，施加一接续的偏压设定到该存储器单元，以建立该目标电阻态。