| 主权项 |
电压基准源，包括启动电路和带隙电路：所述启动电路是对所述带隙电路提供启动电流；所述带隙电路产生高电源抑制比和高稳定度的基准电压；其特征在于所述带隙电路包括第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第三NMOS管、第七PMOS管、第四NMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第一电阻、第一PNP管、第二电阻、第三电阻和第二PNP管：所述第四PMOS管的栅极第一PMOS管的栅极和第二PMOS管的漏极和第一NMOS管的漏极和第一电容的一端和所述第八PMOS管的栅极，漏极所述第五PMOS管的源极，源极接电源VCC；所述第五PMOS管的栅极接第二PMOS管的栅极和第三PMOS管的栅极和漏极和第二NMOS管的漏极和所述第九PMOS管的栅极，漏极接所述第六PMOS管的源极和所述第七PMOS管的源极，源极接所述第四PMOS管的漏极；所述第六PMOS管的栅极所述第二电阻的一端和所述第三电阻的一端，漏极接所述第一电容的一端和第一NMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极，源极接所述第五PMOS管的漏极和所述第七PMOS管的源极；所述第三NMOS管的栅极接第四NMOS管的栅极和漏极和所述第七PMOS管的漏极，漏极接所述第一电容的一端和第一NMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极和所述第六PMOS管的漏极，源极接地；所述第七PMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一PNP管的发射极，漏极接所述第三NMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极和漏极，源极接所述第五PMOS管的漏极和所述第六PMOS管的源极；所述第四NMOS管的栅极接漏极和所述第三NMOS管的栅极和所述第七PMOS管的漏极，源极接地；所述第八PMOS管的栅极接第一PMOS管的栅极和第二PMOS管的漏极和第一NMOS管的漏极和所述第一电容的一端和所述第四PMOS管的栅极，漏极所述第九PMOS管的源极，源极接电源VCC；所述第九PMOS管的栅极接第二PMOS管的栅极和第三PMOS管的栅极和漏极和第二NMOS管的漏极和所述第五PMOS管的栅极，漏极接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端和带隙基准电路的输出，源极接所述第八PMOS管的漏极；所述第一电阻的一端接所述第二电阻的一端和所述第九PMOS管的漏极和带隙基准电路的输出，另一端接所述第七PMOS管的栅极和所述第一PNP管的发射极；所述第一PNP管的基极接地，集电极接地，发射极接所述第一电阻的一端和所述第七PMOS 管的栅极；所述第二电阻的一端接所述第九PMOS管的漏极和所述第一电阻的一端和带隙基准电路的输出，另一端接所述第三电阻的一端和所述第六PMOS管的栅极；所述第三电阻的一端接所述第六PMOS管的栅极和所述第二电阻的一端，另一端接所述第二PNP管的发射极；所述第二PNP管的基极接地，集电极接地，发射极接所述第三电阻的一端。 |
