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经营范围
发明名称
发光装置
摘要
申请公布号
TWI479712
申请公布日期
2015.04.01
申请号
TW100137317
申请日期
2008.10.15
申请人
半导体能源研究所股份有限公司
发明人
牛洼孝洋;濑尾哲史
分类号
H01L51/50;H01L51/56;H05B33/22;H05B33/10;H05B33/14
主分类号
H01L51/50
代理机构
代理人
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
一种制造发光元件的方法,其包括下列步骤:在阳极上方形成由第一有机化合物及第一发光物质所组成的第一层;在该第一层上方形成与该第一层接触之由第二有机化合物和该第一发光物质所组成的第二层;在该第二层上方形成与该第二层接触之由该第二有机化合物和第二发光物质所组成的第三层;以及在该第三层上方形成阴极,其中该第一发光物质与该第二发光物质不同,其中该第一有机化合物具有电洞传输性,且其中该第二有机化合物具有电子传输性。
地址
日本
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