发光二极体封装结构

主权项

一种发光二极体封装结构，包括：一基板，其中形成有一穿过矽之插塞(through-silicon via，TSV)；一第一电极，位于该基板之上侧；一第二电极，位于该基板之下侧，其中该第一电极和该第二电极系经由该穿过矽之插塞彼此电性连接；一发光二极体，接合至该基板之上侧；及一覆盖基板，接合至该基板，其中该覆盖基板包括一腔室，以容纳该发光二极体，其中该覆盖基板与基板间包括一堆叠层，该堆叠层包括一焊锡层和一润湿金属层，该润湿金属层包括金、银或镍。