形成低成本的TSV

摘要

一种器件，包括具有第一表面和处于第一表面对面的第二表面的衬底。衬底通孔(TSV)从衬底的第一表面延伸到第二表面。介电层位于衬底上。金属焊盘位于所述介电层中并与TSV物理接触，其中金属焊盘和TSV由相同的材料形成，其中没有层(由与所述相同材料不同的材料形成)处于TSV和金属焊盘之间且使TSV与金属焊盘互相分离，形成该TSV的成本低。

主权项

一种用于形成半导体器件的方法包括：提供衬底；在所述衬底的第一表面上形成第一介电层；在所述衬底中形成第一开口；在形成所述第一开口的步骤之后并且形成第二开口的步骤之前，在所述衬底暴露于所述第一开口的表面上形成介电内衬；用光刻胶部分地填充所述第一开口；在用所述光刻胶部分地填充所述第一开口之后，将在所述第一介电层中的第一开口形成为所述第二开口，其中所述第二开口大于所述第一开口；填充金属材料到所述第一开口和所述第二开口中；对所述金属材料实施平坦化以移除位于所述第一介电层的顶面上方的所述金属材料的多余部分，其中所述金属材料的剩余部分形成所述第一开口中的衬底通孔(TSV)和所述第二开口中的第一金属焊盘；研磨所述衬底的第二表面直到暴露出所述TSV；在所述衬底的第二表面上形成第一隔离层；在所述第一隔离层上形成第二介电层；在所述第二介电层中形成第三开口，并在所述第三开口中形成与所述TSV接触的第一扩散阻挡层以及与所述第一扩散阻挡层接触的第二金属焊盘。