发明名称 |
外延结构体的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种外延结构体的制备方法,其具体包括以下步骤:提供一基底,该基底具有一支持外延层生长的外延生长面;在所述基底的外延生长面设置一碳纳米管层;在基底的外延生长面生长外延层形成一初级外延结构体;去除该初级外延结构体中的碳纳米管层。本发明提供的外延结构体的制备方法工艺简单,成本低廉,且不会对基底表面造成污染。 |
申请公布号 |
CN102723414B |
申请公布日期 |
2015.04.01 |
申请号 |
CN201110076867.1 |
申请日期 |
2011.03.29 |
申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
魏洋;范守善 |
分类号 |
H01L33/20(2010.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/20(2010.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种外延结构体的制备方法,其具体包括以下步骤: 提供一基底,该基底具有一支持外延层生长的外延生长面; 在所述基底的外延生长面设置一碳纳米管层,所述碳纳米管层中多个碳纳米管的延伸方向平行于所述基底的外延生长面; 在基底的外延生长面生长一外延层并覆盖所述碳纳米管层,所述外延层在所述碳纳米管层周围形成多个孔洞将所述碳纳米管层中的碳纳米管包围,所述外延层的孔洞中碳纳米管与外延层相互间隔,形成一初级外延结构体; 去除该初级外延结构体中的碳纳米管层。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |