发明名称 多层膜的形成方法、显示面板的制造方法及显示面板
摘要 本发明提供一种多层膜的形成方法、显示面板的制造方法及显示面板。多层膜的形成方法包括:在基板上形成第一导电层的工序;在上述第一导电层上形成第一绝缘层的工序;在上述第一绝缘层上形成第二导电层,并对上述形成的第二导电层进行构图的工序;在上述基板上形成第二绝缘层以覆盖被构图的上述第二导电层的工序;在上述第二绝缘层上形成蚀刻速度比该第二绝缘层快的第三绝缘层的工序;及对上述第一绝缘层、上述第二绝缘层及上述第三绝缘层一起形成使上述第一导电层的至少一部分露出的接触孔的工序。
申请公布号 CN101789402B 申请公布日期 2015.04.01
申请号 CN201010104066.7 申请日期 2010.01.27
申请人 卡西欧计算机株式会社 发明人 田中良孝;近森博之
分类号 H01L21/84(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;G02F1/1333(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I 主分类号 H01L21/84(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 陈萍
主权项 一种多层膜的形成方法,包括:在基板上形成第一导电层的工序;在上述第一导电层上形成第一绝缘层的工序;在上述第一绝缘层上形成第二导电层,并对上述形成的第二导电层进行构图的工序;在上述基板上形成第二绝缘层以覆盖被构图的上述第二导电层的工序;在上述第二绝缘层上形成蚀刻速度比该第二绝缘层快的第三绝缘层的工序;及对上述第一绝缘层、上述第二绝缘层及上述第三绝缘层一起形成使上述第一导电层的至少一部分露出的接触孔的工序;用于形成上述第一绝缘层的工艺气体的组成元素与用于形成上述第二绝缘层的工艺气体的组成元素相同,而且用于形成上述第一绝缘层的工艺气体的组成元素的流量与用于形成上述第二绝缘层的工艺气体的组成元素的相应的流量相同;通过利用了至少包含主原料气体和副原料气体的第一工艺气体的CVD,形成上述第一绝缘层和上述第二绝缘层,通过利用了第二工艺气体的CVD,形成上述第三绝缘层,其中,该第二工艺气体的相对于上述主原料气体的流量的上述副原料气体的流量比上述第一工艺气体大;在一起形成上述接触孔的工序中,上述第三绝缘层的端面比上述第二绝缘层的端面蚀刻得更快,与此相伴,上述第二绝缘层的与上述第三绝缘层的接触面侧的表面依次露出,从该露出的表面也依次蚀刻上述第二绝缘层。
地址 日本东京都