发明名称 |
一种图形化的蓝宝石衬底的制造方法 |
摘要 |
本发明提出一种图形化的蓝宝石衬底的制造方法,步骤如下:提供一表面平坦的蓝宝石衬底,在蓝宝石衬底上沉积氮氧化硅作为掩膜层,所述氮氧化硅的化学分子式为Si<sub>3x+y</sub>N<sub>4x</sub>O<sub>2y</sub>,其中,y和x的比例范围为0~1000,3x+y、4x、2y分别代表Si、N、O的原子个数;在掩膜层上形成图形化的光刻胶;利用湿法腐蚀或干法刻蚀形成图形化的掩膜层,去除图形化的光刻胶;采用高温湿法腐蚀工艺同步腐蚀图形化的掩膜层和蓝宝石衬底,在图形化的掩膜层消失后,蓝宝石衬底表面形成有锥状结构。本发明通过控制蓝宝石衬底与掩膜层的腐蚀选择比,经过一次混酸腐蚀便能在蓝宝石衬底表面形成有锥状结构。 |
申请公布号 |
CN102709413B |
申请公布日期 |
2015.04.01 |
申请号 |
CN201210185753.5 |
申请日期 |
2012.06.05 |
申请人 |
杭州士兰明芯科技有限公司 |
发明人 |
丁海生;李东昇;马新刚;江忠永;张昊翔;王洋;李书文;李超;黄捷 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
郑玮 |
主权项 |
一种图形化的蓝宝石衬底的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:提供一表面平坦的蓝宝石衬底,在蓝宝石衬底上沉积氮氧化硅作为掩膜层,所述氮氧化硅的化学分子式为Si<sub>3x+y</sub>N<sub>4x</sub>O<sub>2y</sub>,其中,y和x的比例范围为0~1000,3x+y、4x、2y分别代表Si、N、O的原子个数;利用光刻技术在所述掩膜层上制备出图形化的光刻胶;以所述图形化的光刻胶为掩膜,利用湿法腐蚀工艺或干法刻蚀工艺在蓝宝石衬底上形成图形化的掩膜层,去除所述图形化的光刻胶;以所述图形化的掩膜层为掩膜,采用一次高温湿法腐蚀工艺同步腐蚀所述图形化的掩膜层和蓝宝石衬底,所述高温湿法腐蚀工艺的温度为200度~300度,在所述图形化的掩膜层消失后,所述蓝宝石衬底表面形成有锥状结构。 |
地址 |
310018 浙江省杭州市杭州经济技术开发区白杨街道10号大街300号 |