发明名称 一种具有自激吸引子与隐吸引子的忆阻混沌信号产生电路
摘要 本发明公开了一种具有自激吸引子与隐吸引子的忆阻混沌信号产生电路,包括负阻G、电阻R<sub>1</sub>,电容C<sub>1</sub>、电容C<sub>2</sub>、电感L、二极管桥级联一阶RC滤波器构成的广义忆阻器G<sub>M</sub>;其中,负阻G、忆阻器G<sub>M</sub>与电容C<sub>1</sub>并联,其正、负极端分别记做a、b端;电感L与电容C<sub>2</sub>并联,其正、负极端分别记做c、d端;耦合电阻R<sub>1</sub>跨接在a、c两端之间。通过调节电路参数,该电路可以产生具有复杂非线性现象的自激吸引子和隐吸引子,且所隐吸引子现象不依赖于电路的初始状态,可以在实验电路中进行观测。因此,该电路具有科学的理论依据和物理上的可实现性,可应用于保密通信、混沌加密等工程领域,对混沌应用系统的发展具有积极的推动作用。
申请公布号 CN104486064A 申请公布日期 2015.04.01
申请号 CN201510010314.4 申请日期 2015.01.08
申请人 常州大学 发明人 陈墨;包伯成;于晶晶;徐权
分类号 H04L9/00(2006.01)I 主分类号 H04L9/00(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种具有自激吸引子与隐吸引子的忆阻混沌信号产生电路,其特征在于:包括负阻G、电阻R<sub>1</sub>,电容C<sub>1</sub>、电容C<sub>2</sub>、电感L、二极管桥级联一阶RC滤波器构成的广义忆阻器G<sub>M</sub>;其中,负阻G、二极管桥级联一阶RC滤波器构成的广义忆阻器G<sub>M</sub>与电容C<sub>1</sub>并联,其正、负极端分别记做a、b端;电感L与电容C<sub>2</sub>并联,其正、负极端分别记做c、d端;耦合电阻R<sub>1</sub>跨接在a、c两端之间。
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