发明名称 半导体装置和其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
摘要 当显示装置具有更高的清晰度时,像素的数目会增加,且因此,闸极线及信号线的数目会增加;当闸极线及信号线的数目增加时,很难以藉由接合法或其类似方法来安装包含用以驱动闸极线及信号线之驱动器电路的IC晶片。像素部及用以驱动像素部的驱动器电路系设置于同一基板之上,且驱动器电路之至少一部分包含具有氧化物半导体的薄膜电晶体,该氧化物半导体系插置于闸极电极之间,通道保护层系设置于氧化物半导体与设置在该氧化物半导体之上的闸极电极之间。像素部及驱动器电路系设置于同一基板之上,而产生制造成本的降低。
申请公布号 TW201512751 申请公布日期 2015.04.01
申请号 TW103144503 申请日期 2009.11.19
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 发明人 宫入秀和 MIYAIRI, HIDEKAZU;长多刚 OSADA, TAKESHI;山崎舜平 YAMAZAKI, SHUNPEI
分类号 G02F1/1362(2006.01);H01L29/786(2006.01) 主分类号 G02F1/1362(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本 JP