半导体装置和在重组晶圆中控制翘曲之方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING WARPAGE IN RECONSTITUTED WAFER

摘要

一种半导体装置具有基板，带有设置在所述基板上方的硬化层。所述基板的形状为圆形或矩形。复数个半导体晶粒被设置在所述基板的一部分上方，同时留下所述基板的不含所述半导体晶粒的一开放区域。所述基板的不含所述半导体晶粒的所述开放区域包括区域或在所述半导体晶粒之间的间隙位置。所述半导体晶粒被设置于围绕所述基板的周围。囊封体沉积在所述半导体晶粒和所述基板上方。将所述基板移除，并且互连结构形成在所述半导体晶粒上方。藉由留下所述基板的不含所述半导体晶粒的所述预定区域，在所述半导体晶粒的热膨胀系数和除去所述基板后重组的晶圆上的囊封体的热膨胀系数之间的任何不匹配的翘曲效果降低。