晶片电阻器之制造方法

摘要

本发明之课题在于提供一种能抑制于1次分割槽与2次分割槽的交叉部分产生缺损的晶片电阻器之制造方法。;于大块基板20之单面形成具有凹凸深度的1次分割槽21，且形成横跨该1次分割槽21之复数对表面电极3、或横跨成对的表面电极3之电阻体5等之后，以使该形成面侧裂开的方式沿1次分割槽21对大块基板20进行1次分割，藉此，可由大块基板20获得复数个短条状基板30。于该1次分割时，1次分割槽21系自槽深度小且具有强度的电极形成区域起开始分裂，之后是槽深度大且脆弱的交叉部分被分割，故而，于强度低的交叉部分无法承受大的负载而可进行1次分割，且能防止于交叉部分产生缺损(碎屑)。