发明名称 薄膜电晶体、薄膜电晶体之制造方法、及半导体装置
摘要
申请公布号 TWI479655 申请公布日期 2015.04.01
申请号 TW099103855 申请日期 2010.02.08
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 今藤敏和;岸田英幸
分类号 H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种电晶体的制造方法,包括如下步骤:在基板上形成第一导电膜;在该第一导电膜上形成第一抗蚀剂;藉由将该第一抗蚀剂用作光罩对该第一导电膜选择性地进行蚀刻来形成闸极电极层;在该基板及该闸极电极层上形成闸极绝缘层;在该闸极绝缘层上形成氧化物半导体膜;在该氧化物半导体膜上形成第二导电膜;在该第二导电膜上形成第二抗蚀剂;藉由将该第二抗蚀剂用作光罩对该氧化物半导体膜及该第二导电膜选择性地进行蚀刻来形成氧化物半导体层及导电层;在该闸极绝缘层及该导电层上形成第三导电膜;在该第三导电膜上形成第三抗蚀剂;藉由将该第三抗蚀剂用作光罩对该第三导电膜选择性地进行蚀刻来形成源电极层及汲电极层;以及藉由将该第三抗蚀剂用作光罩进行氧化处理,在该氧化物半导体层与该源电极层及该汲电极层的每一个之间形成一对导电层,并且在该氧化物半导体层上形成金属氧化物层。
地址 日本