发明名称 在微构造化构件之间造成间隔式导电连接部用的接点装置
摘要
申请公布号 TWI479619 申请公布日期 2015.04.01
申请号 TW098132212 申请日期 2009.09.24
申请人 罗伯特博斯奇股份有限公司 发明人 高特弗里德 克努特;威玛 麦克;法兰克 阿克瑟;特尔乌特门 阿奇美;菲 安道;妮耶斯 索尼亚;弗默尔 约克
分类号 H01L23/48 主分类号 H01L23/48
代理机构 代理人 桂齐恒 台北市中山区长安东路2段112号9楼;阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项 一种构件装置,包含一第一晶圆(1)及一第二晶圆(4),第二晶圆(4)与第一晶圆(1)连接,其中该第一晶圆(1)包含一第一微构造化构件(1),而该第二晶圆(4)包含一第二微构造化构件(5),其中该第一晶圆(1)包含第一接点装置(3a)(3b),以在该第一晶圆(1)和第二晶圆(4)间造成一种间隔的导电连接,其中该第二晶圆(4)包含一个与第一接点装置(3a)(3b)连接的第一对立接点(6a)(6b),该对立接点具有一种能作金属-金属接合部的第二材料,其中该第一材料以及可作金属-金属接合的第二材料互相形成一连接部,其特征在:其中该接点装置(3a)(3b)包含一电端子接点(30)、一个在该电端子接点(30)上的钝化层(31)、以及一个设在该钝化层(31)上的介电式间隔层(32),且其中该接点装置(3a)(3b)至少设在二晶圆(1)(4)之一上;其特征在:该接点装置(3a)(3b)包含可形成一种金属-金属接合部的第一材料(33)(36)至少部分地充填的渠沟(34),其中:该渠沟(34)系为贯通的渠沟,从间隔层(32)穿过钝化层(31)过去一直到端子接点(30)为止,且该第一材料(33)(36)设在渠沟(34)中从该端子接点(30)一直到渠沟(34)的上缘为止。
地址 德国