一种碲化镉量子点的合成方法以及Ⅱ型碲化镉核壳量子点的合成方法

摘要

本发明公开了一种碲化镉量子点的合成方法以及Ⅱ型碲化镉核壳量子点的合成方法，其中碲化镉量子点的合成方法是在室温下将镉源、碲源、配体和有机介质加入反应釜中，在氮气或氩气保护下升温至220℃保温反应5-20min，随后升温至230-245℃保温反应5-30min，得到碲化镉量子点。本发明Ⅱ型碲化镉核壳量子点的化学结构式为CdTe/CdSe或CdTe/CdS，碲化镉量子点包壳硒化镉或硫化镉的过程采用无膦原位加热法进行。本发明合成的碲化镉量子点和Ⅱ型碲化镉核壳量子点发射在530-800nm，在550-650nm波段荧光量子产率≥40％，最高可达75％。

主权项

一种碲化镉量子点的合成方法，其特征在于包括以下步骤：在室温下将镉源、碲源、配体和有机介质加入反应釜中，在氮气或氩气保护下升温至220℃保温反应5‑20min，随后升温至230‑245℃保温反应5‑30min，得到碲化镉量子点；其中镉源、碲源和配体的摩尔比为1：(0.8‑1.05)：(3‑5)；反应体系中镉源的浓度为0.05‑0.20mol/L。