半导体装置及其制造方法

摘要

在半导体衬底(10)的上方形成铁电电容器(42)后，形成直接覆盖铁电电容器(42)的阻挡膜(46)。然后，形成与铁电电容器(42)连接的布线(56a等)。进一步，在布线(42)的上方形成阻挡膜(58)。而且，在形成阻挡膜(46)时形成层叠体，上述层叠体至少具有两种组分不同并且可防止氢或水扩散的防扩散膜(46a以及46b)。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具有铁电电容器、层间绝缘膜、布线、第一阻挡膜、第二阻挡膜、第三阻挡膜，上述铁电电容器形成于半导体衬底的上方，并且具有下部电极、铁电膜以及上部电极，上述第一阻挡膜，直接覆盖从上述上部电极的上表面到上述下部电极的上表面为止的部分，上述第二阻挡膜覆盖上述铁电电容器，上述层间绝缘膜覆盖上述第二阻挡膜，上述第三阻挡膜覆盖上述层间绝缘膜，上述布线形成在第三阻挡膜的上方，并与上述铁电电容器连接，上述第二阻挡膜为层叠体，其下层是从由氧化铝膜、氮化铝膜以及氮氧化铝膜组成的组中选出的一种膜，其上层是从氧化钛膜、氧化钽膜、氧化锆膜中选出的一种膜，上述第二阻挡膜，覆盖上述第一阻挡膜以及上述下部电极的侧面，上述第一阻挡膜，与上述上部电极的上表面、上述铁电膜的侧面以及上述下部电极的上表面相接，上述第二阻挡膜，与上述第一阻挡膜的上表面以及上述下部电极的侧面相接，该铁电电容器为平面型的铁电电容器，所述第三阻挡膜为从由氧化铝膜、氧化钛膜、氮化铝膜、氮氧化铝膜、氧化钽膜以及氧化锆膜组成的组中选出的一种膜。