发明名称 一种纳米级图形化衬底的制造方法
摘要 本发明提供一种纳米级图形化衬底的制造方法,包括:提供衬底,在所述衬底上形成掩膜层;在掩膜层上旋涂或喷洒金属纳米颗粒,掩膜层的比热容大于金属纳米颗粒的比热容,金属纳米颗粒的熔点大于掩膜层的熔点;利用激光照射金属纳米颗粒,使金属纳米颗粒的温度达到所述掩膜层的熔点,以形成图形化的掩膜层;去除金属纳米颗粒;以所述图形化的掩膜层作为掩膜刻蚀所述衬底;去除所述图形化的掩膜层,形成纳米级图形化衬底。该方法利用激光对掩膜层上的金属纳米颗粒进行升温,使金属纳米颗粒的温度达到掩膜层的熔点,从而熔化与金属纳米颗粒接触的掩膜层,达到图形化掩膜层的目的,进而利用掩膜层图形化衬底。具有工艺简单,工艺成本低的优点。
申请公布号 CN102983235B 申请公布日期 2015.04.01
申请号 CN201210533172.6 申请日期 2012.12.11
申请人 映瑞光电科技(上海)有限公司 发明人 毕少强
分类号 H01L33/00(2010.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 H01L33/00(2010.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 郑玮
主权项 一种纳米级图形化衬底的制造方法,包括:提供衬底,在所述衬底上形成掩膜层;在所述掩膜层上旋涂或喷洒金属纳米颗粒,所述掩膜层的比热容大于所述金属纳米颗粒的比热容,所述金属纳米颗粒的熔点大于所述掩膜层的熔点;利用激光照射所述金属纳米颗粒,使所述金属纳米颗粒的温度达到所述掩膜层的熔点,以形成图形化的掩膜层;去除所述金属纳米颗粒;以所述图形化的掩膜层作为掩膜刻蚀所述衬底;去除所述图形化的掩膜层,形成纳米级图形化衬底。
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