| 发明名称 |
半导体元件及制造半导体元件的方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI479608 |
申请公布日期 |
2015.04.01 |
| 申请号 |
TW101108639 |
申请日期 |
2012.03.14 |
| 申请人 |
瑞晶电子股份有限公司 |
发明人 |
竹迫寿晃;许文癸;田中义典;永井享浩;熊志伟;藤田博丈;角谷知浩;刘韦志;方旋宇;黄于玲;陈孟贤;曾俊侨;艾群咏;许瑜珊;张维哲;黄俊华 |
| 分类号 |
H01L21/8242;H01L27/108 |
主分类号 |
H01L21/8242 |
| 代理机构 |
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代理人 |
高玉骏 台北市松山区南京东路3段248号7楼;杨祺雄 台北市松山区南京东路3段248号7楼 |
| 主权项 |
一种半导体元件，包含：一基材，具有一基底及一柱阵列，该柱阵列包括多个自该基底向上延伸的半导体柱体，该基材形成有多个沟槽，每一沟槽位于该柱阵列的两相邻列之间，并具有两相对立的槽壁，该等槽壁分别自该柱阵列的两相邻列的顶端延伸入该基底；一第一绝缘衬里层，形成在每一沟槽的该等槽壁上，且具有一上段部及一与该上段部间隔一间隙的下段部，该间隙曝露每一槽壁的一线路形成表面；以及多个埋入位元线，每一埋入位元线自该线路形成表面延伸入该基底内部，且电连接至该柱阵列的一对应列的半导体柱体。 |
| 地址 |
台中市后里区三丰路429之1号 |
