发明名称 | 发光二极体 | ||
摘要 | |||
申请公布号 | TWI479690 | 申请公布日期 | 2015.04.01 |
申请号 | TW100145866 | 申请日期 | 2011.12.12 |
申请人 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 发明人 | 朱振东;李群庆;张立辉;陈墨;范守善 |
分类号 | H01L33/22;H01L33/36 | 主分类号 | H01L33/22 |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 一种发光二极体,其包括:一基底;一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一侧,且所述第一半导体层靠近所述基底设置,所述第一半导体层具有相对的一第一表面和一第二表面,所述第一表面与所述基底相邻,所述第二表面与活性层相邻,所述第二半导体层远离活性层的表面具有一出光面;一第一电极与所述第一半导体层电连接;一第二电极与所述第二半导体层电连接;其中,所述第一半导体层的第二表面为复数三维奈米结构以阵列形式排布形成的图案化的表面,其中每一所述三维奈米结构包括一第一凸棱及一第二凸棱,所述第一凸棱与第二凸棱并排延伸,相邻的第一凸棱与第二凸棱之间具有一第一凹槽,相邻的三维奈米结构之间形成第二凹槽,所述第一凹槽的深度小于第二凹槽的深度,所述活性层与所述第一半导体层接触的表面与所述第一半导体层图案化的表面相啮合。 | ||
地址 | 新北市土城区自由街2号 |