| 发明名称 | 一种取向可控薄膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种取向可控薄膜的制备方法，属于超导薄膜技术领域；将纯相均一Nd<sub>1.85</sub>Ce<sub>0.15</sub>CuO<sub>4-δ</sub>靶材安装在已调整好的激光冲沉积的镀膜系统，并用激光轰靶表面以清洗靶材表面，然后将清洗好的LaAlO<sub>3</sub>（001）单晶衬底放入加热器上；用机械泵和分子泵抽真空后升温；升温结束后向镀膜腔内充入氧气；最后开启激光将靶材表层原子熔蒸出来镀在衬底表面，退火后得到Nd<sub>1.85</sub>Ce<sub>0.15</sub>CuO<sub>4-δ</sub>薄膜。本发明通过调节镀膜氧压，实现了NCCO薄膜取向的控制，此外本镀膜技术不需要使用氩气，且可在相对低的激光能量下合成Nd<sub>1.85</sub>Ce<sub>0.15</sub>CuO<sub>4-δ</sub>薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN104480426A | 申请公布日期 | 2015.04.01 |
| 申请号 | CN201410614987.6 | 申请日期 | 2014.11.05 |
| 申请人 | 昆明理工大学 | 发明人 | 陈清明;李兵兵;张斌;张辉 |
| 分类号 | C23C14/08(2006.01)I;C23C14/28(2006.01)I;H01B12/06(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种取向可控薄膜的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：（1）将单相均一的Nd<sub>1.85</sub>Ce<sub>0.15</sub>CuO<sub>4‑</sub><sub>δ</sub>靶材固定好后用激光轰靶表面以清洗靶材表面；（2）在真空度为10 X 10<sup>‑3</sup>~3.0 X 10<sup>‑3</sup>Pa的条件下将清洗好的LaAlO<sub>3</sub>单晶衬底用单晶硅加热器或电阻丝加热器加热到900～950℃，加热过程中继续抽真空，升温后真空度达到3.0 X 10<sup>‑3</sup>~2.0 X10<sup>‑4</sup>Pa；（3）然后通入氧气，用激光照射在靶上，将靶材表层原子熔蒸出来在衬底上生长成膜；（4）对步骤（3）中的薄膜在800~820℃，600~650℃和450~500℃下各退火10~15 min，得到Nd<sub>1.85</sub>Ce<sub>0.15</sub>CuO<sub>4‑</sub><sub>δ</sub>薄膜，其中退火过程中压强为1 X 10<sup>‑3</sup>~1 X 10<sup>‑4</sup> Pa。 | ||
| 地址 | 650093 云南省昆明市五华区学府路253号 | ||