发明名称 一种摩擦制备柔性透明导电膜的方法
摘要 本发明公开了一种摩擦制备柔性透明导电膜的方法,该方法将聚乙烯膜或者聚氯乙烯膜平铺在基板上,再将纳米石墨粉按0.005~0.02毫克/平方厘米均匀铺在聚乙烯或者聚氯乙烯膜上,然后将纳米石墨粉在聚乙烯膜或者聚氯乙烯膜上借助基板进行摩擦,使纳米石墨粉在聚乙烯膜或者聚氯乙烯膜表面形成的微导电沟道,得到柔性、透明的导电膜。本发明具有工艺周期短,实施便捷的特点。产品与目前市场上的透明导电ITO玻璃相比,表现出良好的柔韧性以及较低的成本。
申请公布号 CN104485177A 申请公布日期 2015.04.01
申请号 CN201410733580.5 申请日期 2014.12.04
申请人 华中科技大学 发明人 喻研;姜胜林;周文利;缪向水;曾亦可;张光祖
分类号 H01B13/00(2006.01)I 主分类号 H01B13/00(2006.01)I
代理机构 华中科技大学专利中心 42201 代理人 曹葆青
主权项 一种摩擦制备柔性透明导电膜的方法,该方法将聚乙烯膜或者聚氯乙烯膜平铺在基板上,再将纳米石墨粉按0.005~0.02毫克/平方厘米均匀铺在聚乙烯或者聚氯乙烯膜上,然后将纳米石墨粉在聚乙烯膜或者聚氯乙烯膜上借助基板进行摩擦,使纳米石墨粉在聚乙烯膜或者聚氯乙烯膜表面形成的微导电沟道,得到柔性、透明的导电膜。
地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号