发明名称 晶圆封装方法
摘要 本发明提供一种晶圆封装方法,包括:提供衬底,所述衬底包括形成有导电金属垫的中心区域,以及相对于所述中心区域的边缘区域;在所述导电金属垫上形成球下金属层;在所述衬底的边缘区域形成金属散热层;在所述球下金属层上形成凸点结构。本发明的有益效果在于:由于金属散热层形成于衬底的正面,由于衬底的正面形成有芯片,也就是说,金属散热层与芯片均位于衬底的正面,金属散热层与芯片之间更加靠近,这有利于帮助芯片散热,也就是改善了晶圆封装结构的散热性能。此外,形成金属散热层以及封装都不需要反转衬底,这在达到散热目的的同时一定程度上简化了工艺。
申请公布号 CN104485289A 申请公布日期 2015.04.01
申请号 CN201410784667.5 申请日期 2014.12.16
申请人 南通富士通微电子股份有限公司 发明人 高国华;朱桂林;宣慧;王晓聪
分类号 H01L21/48(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I 主分类号 H01L21/48(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 高静;骆苏华
主权项 一种晶圆封装方法,其特征在于,包括:提供衬底,所述衬底包括形成有导电金属垫的中心区域,以及相对于所述中心区域的边缘区域;在所述导电金属垫上形成球下金属层;在所述衬底的边缘区域形成金属散热层;在所述球下金属层上形成凸点结构。
地址 226006 江苏省南通市崇川区崇川路288号