发明名称 |
化学机械研磨方法 |
摘要 |
本发明提供一种化学机械研磨方法包括:利用固定颗粒研磨垫研磨去除晶圆上的第一待研磨层;选出具有研磨残留的晶圆;覆盖第二待研磨层,所述第二待研磨层的材质与第一待研磨层的材质相同;研磨去除晶圆上的第二待研磨层。本发明所述化学机械研磨方法在具有研磨残留的晶圆上覆盖第二待研磨层,并利用固定颗粒研磨垫对第二待研磨层进行研磨,第二待研磨层的材质与第一待研磨层材质相同,故以相同的研磨方式进行研磨;在研磨第二待研磨层的过程中,固定颗粒研磨垫的研磨速率逐渐提高并达到一稳定值,在去除了第二待研磨层同时,利用研磨速率的惯性作用彻底去除研磨残留,从而提高了研磨效果,彻底去除研磨残留。 |
申请公布号 |
CN102909646B |
申请公布日期 |
2015.04.01 |
申请号 |
CN201110218623.2 |
申请日期 |
2011.08.01 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
邵群;王庆玲 |
分类号 |
B24B37/00(2012.01)I |
主分类号 |
B24B37/00(2012.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
屈蘅;李时云 |
主权项 |
一种化学机械研磨方法,用于提高固定颗粒研磨垫的研磨效果,包括:利用固定颗粒研磨垫研磨去除晶圆上的第一待研磨层;检测所述晶圆的研磨效果,选出具有研磨残留的晶圆;在所述具有研磨残留的晶圆上覆盖第二待研磨层,所述第二待研磨层的材质与所述第一待研磨层的材质相同;利用所述固定颗粒研磨垫研磨去除所述第二待研磨层及所述研磨残留;其特征在于,在利用所述固定颗粒研磨垫研磨去除晶圆上的第一待研磨层的步骤中,向所述固定颗粒研磨垫和所述第一待研磨层之间流入含有高分子添加剂的化学液;在利用所述固定颗粒研磨垫研磨去除晶圆上的第二待研磨层及所述研磨残留的步骤中,所述固定颗粒研磨垫的研磨速率逐渐提高,最后达到一稳定值。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |