| 发明名称 | 半导体测试结构及其形成方法、测试方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体测试结构，包括：半导体衬底；位于半导体衬底上至少两个栅极结构；位于半导体衬底和栅极结构表面的介质层；位于所述栅极结构两端的共享接触插塞，所述共享接触插塞贯穿介质层一部分位于栅极结构一端的表面，一部分位于栅极结构相应一侧的半导体衬底上；位于介质层上连接栅极结构间相邻共享接触插塞的金属互连线，未连接有金属互连线的共享接触插塞作为测试电压的输入端。本发明的半导体测试结构能测试半导体器件中的共享接触插塞是否存在缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN103107163B | 申请公布日期 | 2015.04.01 |
| 申请号 | CN201110357890.8 | 申请日期 | 2011.11.11 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 秋艳鹏;王立;李彦勋;黄晓辉 |
| 分类号 | H01L23/544(2006.01)I;G01R31/26(2014.01)I;G01R31/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/544(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体测试结构，其特征在于，包括：半导体衬底；位于半导体衬底上至少两个栅极结构；位于半导体衬底和栅极结构表面的介质层；位于所述栅极结构两端共享接触插塞，所述共享接触插塞贯穿介质层，一部分位于栅极结构一端的表面，一部分位于栅极结构相应一侧的半导体衬底上；位于介质层上连接栅极结构间相邻共享接触插塞的金属互连线，未连接有金属互连线的共享接触插塞适于作为测试电压的输入端。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||