发明名称 一种制备含氢氧化锌铝透明导电薄膜的方法
摘要 一种制备含氢氧化锌铝透明导电薄膜制备的方法。首先将溅射真空腔体背底真空抽至8.0×10<sup>-4</sup>pa,样品台温度为室温,随后打开针阀,向真空腔体中通入水蒸气,通过针阀调整水蒸气为3×10<sup>-3</sup>pa~1.0×10<sup>-2</sup>pa,再向真空腔体中通入氩气,通过质量流量计调整腔体真空至0.5Pa~2Pa,溅射功率为80W~120W,沉积时间为40min~60min。
申请公布号 CN104480442A 申请公布日期 2015.04.01
申请号 CN201410740483.9 申请日期 2014.12.05
申请人 中国科学院电工研究所 发明人 屈飞;张腾;丁发柱;古宏伟;王红艳
分类号 C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I 主分类号 C23C14/35(2006.01)I
代理机构 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人 关玲
主权项 一种制备含氢氧化锌基透明导电薄膜的方法,其特征在于,所述的制备方法采用陶瓷靶射频磁控溅射,步骤如下:(1)将溅射真空腔体的背底真空抽至8.0×10<sup>‑4</sup>pa;(2)将水罐放入装有冰水混合物的泡沫箱中,并热平衡20min;(3)打开连接贮水罐的管道上的针阀,向真空腔体中通入水蒸气,调整针阀,调整通入真空腔体的水蒸气流量,控制水蒸气压力为3×10<sup>‑3</sup>pa~1.0×10<sup>‑2</sup>pa;再向真空腔体中通入氩气,通过质量流量计调整溅射真空腔体的真空度至0.5Pa~2Pa;开始溅射,将溅射功率调节至80W~120W;待辉光稳定后,移开挡板,开始沉积氧化锌铝薄膜,沉积时间为40min~60min,沉积完毕取出氧化锌铝薄膜样品。
地址 100190 北京市海淀区中关村北二条6号
您可能感兴趣的专利