发明名称 用于具有正交窗之多晶粒导线结合总成之短线最小化
摘要
申请公布号 TWI479639 申请公布日期 2015.04.01
申请号 TW101136586 申请日期 2012.10.03
申请人 英帆萨斯公司 发明人 柯斯伯 理查 狄威特;柔伊 华尔;哈芭 毕哥辛;蓝布里奇 法兰克
分类号 H01L25/04;H01L23/52 主分类号 H01L25/04
代理机构 代理人 阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼;林景郁 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项 一种微电子总成,其包含:第一微电子封装及第二微电子封装,该第一微电子封装及该第二微电子封装中之每一者包括:一基板,其具有对置之第一表面及第二表面以及在该第一表面与该第二表面之间延伸的第一孔隙、第二孔隙及第三孔隙,该等孔隙具有在该等各别孔隙之长度之方向上延伸的第一轴线、第二轴线及第三轴线,该第一轴线与该第二轴线彼此平行,该第三轴线横向于该第一轴线及该第二轴线,该第二表面具有安置于该第一轴线与该第二轴线之间的一中心区;第一微电子元件、第二微电子元件及第三微电子元件,其各自具有面向该基板之该第一表面的一表面及在该各别微电子元件之该表面处曝露且与该等孔隙中之至少一者对准的复数个接点,每一微电子元件具有记忆体储存阵列功能;复数个端子,其在该第二表面处在该第二表面之该中心区中曝露,该等端子经组态以用于将该微电子封装连接至该微电子封装外部之至少一组件;及引线,其电连接于每一微电子元件之该等接点与该等端子之间,每一引线具有与该等孔隙中之至少一者对准的一部分,其中该等端子经组态以携载可由该微电子封装内之电路使用以自该第一微电子元件、该第二微电子元件 或该第三微电子元件中之至少一者之一记忆体储存阵列的所有可用可定址记忆体位置当中判定一可定址记忆体位置的位址资讯;及一电路面板,其具有对置之第一表面及第二表面以及在对置之该第一表面及该第二表面中之每一者处曝露的面板接点,其中该第一微电子封装及该第二微电子封装之该等端子中之至少一些系安装至在各别该第一表面及该第二表面处曝露之该等面板接点,且经由该等面板接点电连接。
地址 美国