硅太阳电池的改进的氢化

摘要

提供一种硅光伏结装置的氢化方法，硅光伏结装置包括形成至少一个p-n结的p-型硅半导体材料和n-型硅半导体材料。方法包括：i)确保氢必须从其扩散通过的任何硅表面磷扩散层具有1x10²⁰原子/cm³或更小的峰值掺杂浓度以及氢必须从其扩散通过的硅表面硼扩散层具有1x10¹⁹原子/cm³或更小的峰值掺杂浓度；ii)提供装置的每个表面能获取的一个或多个氢源；以及iii)将所述装置或所述装置的局部区域加热至至少40℃，同时用至少一个光源同时照射装置的全部的至少一些和/或有利地装置的全部，借此，具有在硅内生成电子空穴对的足够能量的所有入射光子(换言之，能级在1.12eV的硅的带隙之上的光子)的累积功率为至少20mW/cm²。

主权项

一种利用现有氢源处理硅以用于制造具有至少一个整流结的光伏装置的方法，所述方法包括将所述装置的至少一个区域加热至至少40℃，同时用至少一个光源同时照射所述装置的至少一部分，借此具有在所述硅内产生电子空穴对的足够能量的所有入射光子的累积功率为至少20mW/cm²。