| 发明名称 | 铟靶材及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种可良好地抑制异常放电产生的铟靶材及其制造方法。该铟靶材的靶材表面的算术平均粗糙度(Ra)为1.6μm以下。 | ||
| 申请公布号 | CN104480435A | 申请公布日期 | 2015.04.01 |
| 申请号 | CN201410641327.7 | 申请日期 | 2011.05.12 |
| 申请人 | JX日矿日石金属株式会社 | 发明人 | 前川贵诚;远藤瑶辅 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人 | 洪俊梅;张淑珍 |
| 主权项 | 一种铟靶材，其特征为，所述靶材表面的算术平均粗糙度(Ra)为1.6μm以下、且所述靶材表面的十点平均粗糙度(Rz)为15μm以下。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||