| 发明名称 | 永久结合晶圆的方法及装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种依以下步骤、尤其以下顺序使第一衬底的第一接触面与第二衬底的第二接触面结合的方法，其中该第二衬底具有最少一个反应层：将该衬底容纳于第一电极与第二电极之间或线圈内，通过对第一接触面施加借助于电极的电容耦合所产生的等离子体而在第一接触面上的储存器形成层中形成储存器，其中在等离子体产生或借助于线圈的电感耦合产生等离子体期间向该第一电极施加与该第二电极的第二频率不同的第一频率，其中在等离子体产生期间在第一发生器产生与第二发生器的第二频率不同的第一频率。此外，本发明涉及一种相应装置。 | ||
| 申请公布号 | CN104488065A | 申请公布日期 | 2015.04.01 |
| 申请号 | CN201280074902.9 | 申请日期 | 2012.07.24 |
| 申请人 | EV 集团 E·索尔纳有限责任公司 | 发明人 | T. 普拉赫;K. 欣格尔;M. 温普林格;C. 弗勒特根 |
| 分类号 | H01L21/18(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 徐予红;刘春元 |
| 主权项 | 一种使第一衬底（1)的第一接触面(3)与第二衬底（2）的第二接触面(4)结合的方法，其中所述第二衬底(2)具有最少一个反应层(7)，所述方法具有以下步骤、尤其以下流程：‑将所述衬底（1、2)容纳于等离子体腔室(20、20’)中或连接至等离子体腔室(20")的衬底腔室(27)中，其中所述离子体腔室(20、20'、20")具有至少两个可在不同频率(f<sub>2l</sub>、f<sub>22</sub>）下操作，尤其在不同频率(f<sub>2l</sub>、f<sub>22</sub>）下操作以产生等离子体的发生器(23、24)，‑通过将在所述离子体腔室(20、20'、20")中产生的等离子体施加于所述第一接触面(3)而在该第一接触面(3)上的储存器形成层(6)中形成储存器(5)，‑用第一离析剂或第一组离析剂至少部分填充所述储存器(5)，‑使所述第一接触面(3)与所述第二接触面(4)接触以形成预结合连接，‑通过使所述第一离析剂与所述第二衬底(2）的所述反应层(7)中所含的第二离析剂反应来至少部分增强所述第一接触面(3)与第二接触面(4)之间永久结合的形成。 | ||
| 地址 | 奥地利圣弗洛里安 | ||