SOI结构的制作方法

摘要

本发明提供一种SOI结构的制作方法，包括:提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有掩埋氧化层和顶部半导体层；对所述半导体衬底进行至少两次离子注入以在半导体衬底中形成未掺杂多晶硅层，每一次离子注入之后进行退火工艺，每一次离子注入工艺在半导体衬底中形成间隔设置的带状或网格状的多晶硅层，所述离子注入的离子为惰性气体的离子或者与所述半导体衬底的材质相同的物质产生的离子。本发明减少了顶部半导体层的损伤，减少了顶部半导体层与半导体衬底的之间的可变的寄生电容，在控制SOI结构的成本的前提下提高了SOI结构半导体器件的射频性能。

主权项

一种SOI结构的制作方法，其特征在于，包括:提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有掩埋氧化层和顶部半导体层；对所述半导体衬底进行至少两次离子注入以在半导体衬底中形成未掺杂多晶硅层，每一次离子注入之后进行退火工艺，每一次离子注入工艺在半导体衬底中形成间隔设置的带状或网格状的多晶硅层，所述离子注入的离子为惰性气体的离子或者与所述半导体衬底的材质相同的物质产生的离子。