| 发明名称 | 光伏电池及光伏电池制造方法 | ||
| 摘要 | 一种光伏电池包括透明导电氧化物的电极层(1<sub>b</sub>)，其沉积在透明载体衬底(7<sub>b</sub>)上。接着为第一类型掺杂的非晶硅的接触层(11<sub>b</sub>)，其具有至多10nm的厚度。接着为第一类型掺杂的非晶硅化合物的层(26)，其带隙大于所提及的接触层(11<sub>b</sub>)的材料的带隙。在第一类型掺杂的非晶硅化合物层(2<sub>b</sub>)之后，接着为本征型硅化合物的层(3<sub>b</sub>)和第二类型掺杂的硅化合物的层(5<sub>b</sub>)。 | ||
| 申请公布号 | CN102144296B | 申请公布日期 | 2015.04.01 |
| 申请号 | CN200980132438.2 | 申请日期 | 2009.07.08 |
| 申请人 | 东电电子太阳能股份公司 | 发明人 | H·戈德巴赫;T·罗舍克;S·贝纳格利;B·梅罗 |
| 分类号 | H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 李娜;王洪斌 |
| 主权项 | 一种光伏电池，包括：在透明载体衬底上的透明导电氧化物的电极层，然后第一类型掺杂的硅化合物的接触层，然后第一类型掺杂的、非晶硅化合物的第一有源层，所述第一类型掺杂的、非晶硅化合物具有硅、掺杂物和具有第一原子百分比的碳，然后本征型硅化合物的第二有源层，然后第二类型掺杂的硅化合物的第三有源层，其中所述接触层是非晶硅化合物的且至多3nm厚，以及其中选择在所述第一有源层中的所述碳的第一原子百分比，以超过在所述接触层中的所述碳的第二原子百分比，使得所述接触层被沉积，其具有的带隙小于所述有源层的第一类型掺杂的、非晶硅化合物的带隙。 | ||
| 地址 | 瑞士特吕巴赫 | ||