发明名称 | 波导、包括该波导的装置及制造该波导的方法 | ||
摘要 | 提供一种波导、包括该波导的装置及制造该波导的方法,使用该波导抑制了在初始阶段中或在操作期间在半导体中引起的或由制造工艺等引起的应力和缺陷,从而预期有特性的改进和稳定性。该波导包括:第一导体层和第二导体层,其包括相对于波导模式下的电磁波具有负介电常数实部的负介电常数介质;以及核心层,其与第一导体层和第二导体层接触,并且被放置在第一导体层与第二导体层之间,并且包括半导体部分。包括半导体部分的核心层具有在面内方向上延伸的凹入凸出结构。 | ||
申请公布号 | CN102790355B | 申请公布日期 | 2015.04.01 |
申请号 | CN201210148448.9 | 申请日期 | 2012.05.14 |
申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 小山泰史 |
分类号 | H01S5/20(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/20(2006.01)I |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 魏小薇 |
主权项 | 一种波导(107),包括:第一导体层(103)和第二导体层(104),所述第一导体层(103)和第二导体层(104)包括相对于波导模式下的电磁波具有负介电常数实部的负介电常数介质;以及核心层(108),其与所述第一导体层和所述第二导体层接触并且被放置在所述第一导体层与所述第二导体层之间,并且包括半导体部分(101),其中,包括所述半导体部分的所述核心层具有凹入凸出结构,其中,在核心层的面内方向上,在核心层的厚度方向上凹入的凹入部分(102)被布置在相邻的凸出部分(101)之间,其特征在于,满足以下要求中的至少一个:1)在凹入凸出结构中,凹入部分在与波导模式下的电磁波的传播方向垂直的面内方向上被布置在相邻的凸出部分之间;2)所述凹入凸出结构具有小于λg/2的节距长度,其中,λg=λ/n<sub>e</sub>,λ是所述电磁波的波长,n<sub>e</sub>是所述波导的等效折射率;以及3)所述凹入凸出结构具有小于100μm的节距长度,并且所述凹入凸出结构具有在所述波导的端面附近逐渐改变的疏密程度。 | ||
地址 | 日本东京 |